Memoria Toroid di Nanocristalli di alta induttanza Kmn252010 per il filtro da EMI W523

Descrizione del prodotto Memoria Toroidal di Nanocrystalline di alta induttanza KMN252010 per il filtro da EMI W523Permeabilità Molto alta della caratteristica di memorie di Nano

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Descrizione del prodotto

Memoria Toroidal di Nanocrystalline di alta induttanza KMN252010 per il filtro da EMI W523

Permeabilità Molto alta della caratteristica di memorie di Nanocrystalline sopra a bassa frequenza ad alta frequenza fino a 30Mhz. Sono molto adatte a bobina d'arresto comune di modo da essere usato come filtro da contabilità Elettromagnetica per comprimere il disturbo comune condotto di modo. Confrontato alla memoria di ferrito tradizionale, la memoria di nanocrystalline presenta molti vantaggi come alta induttanza, il buon filtro efficace, di piccola dimensione ed il volume, meno girate di collegare di rame, assorbimento di corrente di energia più Basso ed alta efficienza
   
Caratteristiche
 
Materiale: Memoria Tecnico di assistenza-basata di Nanocrystalline 
Induzione di densità Di cambiamento continuo di saturazione: 1.25T 
Permeabilità @ 10KHz: 80000
Permeabilità @ 100KHz: 20000
Temperatura di curie (º C): 560 
Impilamento del fattore: 0.78 
Magnetostrizione di saturazione (*10^-6): < 2 
Resistività (μ Ω . Cm): 115 
Spessore del nastro: 25μ M 
Figure di memoria: Memoria di Troidal
 
Applicazioni
 
> > Filtro da contabilità Elettromagnetica
> > Alimentazione elettrica passata di modo
> > Alimentazione elettrica del calcolatore
> > Comunicazione ed alimentazione elettrica della rete
> > Alimentazione elettrica dei raggi X e del laser
> > Apparecchio per saldare ed alimentazione elettrica elettrica di placcatura
> > Strumentazione a energia solare e generatore di energia eolica
> > Apparecchio elettrico della famiglia
> > Alimentazione elettrica ininterrotta (UPS)
> > Convertitore di frequenza
> > Apparecchio di riscaldamento introdotto
> > Alimentazioni elettriche ferroviarie ad alta velocità
> > Sistemi del motore di azionamento dell'invertitore di VFD
 
 
Memorie standard
 
 
 

Numero del pezzoDimensioni di memoriaDimensioni di casoEffictive
traversa
sezione
Media
percorso
lunghezza
Indice nominale di AL **Equivalente al numero del pezzo di VCA
  odidentificazionehODIdentificazioneHAFelFe10kHz100kHz 
  millimetromillimetromillimetromillimetromillimetromillimetrocm2cmμ Hμ H 
KMN9865459.86.54.511.356.10.062.625.56.4W914
KMN1208051284.514.56.36.90.083.128.06.8W902
KMN15100515104.517.18.37.10.093.927.06.7W865
KMN1610061610617.98.18.10.144.143.010.1W403
KMN1610081610817.88.49.90.194.146.111.5-
KMN17120617.512.6619.210.98.10.114.730.06.9W515
KMN19151019151021.213.512.30.165.336.18.8W838
KMN2012082012821.710.89.90.255.055.213.6W409
KMN20121020121022.610.512.50.315.062.415.6-
KMN211308E *21.313.6822138.80.245.544.111.0-
KMN2520102520102817.213.20.207.128.47.3W523
KMN2516102516102814.013.10.356.467.015.5W380
KMN26161026161028.31412.80.396.657.114.3-
KMN30201030201033.217.813.30.397.959.314.0W423
KMN30201530201533.617.817.80.597.988.020.0W414
KMN32201032201034.418.1130.478.257.614.4-
KMN32201532201534.617.918.20.708.286.421.6-
KMN322115Y32211535.518.5190.648.377.719.4trifase
KMN38241537.824.21540.821.618.30.809.782.120.5-
KMN40251540251543.821.618.80.8810.299.023.1W424
KMN4025204025204521.524.71.1710.2115.228.8-
KMN40321540321544.928.818.80.4711.348.011.3W422
KMN45301545301548.326.418.20.8811.887.620.0V102
KMN46272546272548.824.627.81.8511.5162.440.6-
KMN50322050322053.828.5241.4012.9109.627.4-
KMN50402050402053.637.1230.7814.145.013.5W516
KMN6350256350256946291.2717.759.017.5W517
KMN64402064402068.23723.51.8716.3115.228.8-
KMN64402564402567.43729.22.3416.3144.036.0-
KMN80502080502083.846.625.02.3420.494.028.0V140
KMN8050258050258447292.9320.4144.036.0-
KMN90602090602095.454.724.72.3423.681.025.1W518
KMN1008020100802010575251.5628.355.513.9-
KMN10276251027625108.170.030.32.5427.991.122.8W468
KMN11080251108025116.673.831.42.9329.898.524.6-
KMN13090301309030135.384.936.54.6834.5136.134.0-
KMN140100251401002514595303.9037.710426-
KMN1601302516013025165125302.9345.564.616.1-
KMN1701202517012025175115304.8845.5107.626.9-
KMN2001603020016030207153374.556.583.22.8-

Queste memorie sono i nostri prodotti standard, noi possono anche progettare e produrre le memorie di rendimento elevato secondo i requisiti del cliente, compreso i formati, l'induttanza e le applicazioni. Possiamo aiutare i clienti a selezionare le migliori memorie di prestazione.  

* Rivestito a resina epossidica
** Tolleranza -30%/+50% di AL
KMN322115Y - Memoria comune a tre fasi della bobina d'arresto di modo

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