Descrizione del prodotto
Memoria calda di nanocrestalline di vendite dell'alta qualità Per il grande induttore del filtrante dell'output di forza motrice
Permeabilità Molto alta della caratteristica di memorie di Nanocrystalline sopra a bassa frequenza ad alta frequenza fino a 30Mhz. Sono molto adatte a bobina d'arresto comune di modo da essere usato come filtro da contabilità Elettromagnetica per comprimere il disturbo comune condotto di modo. Confrontato alla memoria di ferrito tradizionale, la memoria di nanocrystalline presenta molti vantaggi come alta induttanza, il buon filtro efficace, di piccola dimensione ed il volume, meno girate di collegare di rame, assorbimento di corrente di energia più Basso ed alta efficienza
Caratteristiche
Materiale: Memoria Tecnico di assistenza-basata di Nanocrystalline
Induzione di densità Di cambiamento continuo di saturazione: 1.25T
Permeabilità @ 10KHz: 80000
Permeabilità @ 100KHz: 20000
Temperatura di curie (º C): 560
Impilamento del fattore: 0.78
Magnetostrizione di saturazione (*10^-6): < 2
Resistività (μ Ω . Cm): 115
Spessore del nastro: 25μ M
Figure di memoria: Memoria di Troidal
Applicazioni
> > Filtro da contabilità Elettromagnetica
> > Alimentazione elettrica passata di modo
> > Alimentazione elettrica del calcolatore
> > Comunicazione ed alimentazione elettrica della rete
> > Alimentazione elettrica dei raggi X e del laser
> > Apparecchio per saldare ed alimentazione elettrica elettrica di placcatura
> > Strumentazione a energia solare e generatore di energia eolica
> > Apparecchio elettrico della famiglia
> > Alimentazione elettrica ininterrotta (UPS)
> > Convertitore di frequenza
> > Apparecchio di riscaldamento introdotto
> > Alimentazioni elettriche ferroviarie ad alta velocità
> > Sistemi del motore di azionamento dell'invertitore di VFD
Memorie standard
| Numero del pezzo | Dimensioni di memoria | Dimensioni di caso | Effictive traversa sezione | Media percorso lunghezza | Indice nominale di AL ** | Equivalente al numero del pezzo di VCA | |||||
| od | identificazione | h | OD | Identificazione | H | AFe | lFe | 10kHz | 100kHz | ||
| millimetro | millimetro | millimetro | millimetro | millimetro | millimetro | cm2 | cm | μ H | μ H | ||
| KMN986545 | 9.8 | 6.5 | 4.5 | 11.3 | 5 | 6.1 | 0.06 | 2.6 | 25.5 | 6.4 | W914 |
| KMN120805 | 12 | 8 | 4.5 | 14.5 | 6.3 | 6.9 | 0.08 | 3.1 | 28.0 | 6.8 | W902 |
| KMN151005 | 15 | 10 | 4.5 | 17.1 | 8.3 | 7.1 | 0.09 | 3.9 | 27.0 | 6.7 | W865 |
| KMN161006 | 16 | 10 | 6 | 17.9 | 8.1 | 8.1 | 0.14 | 4.1 | 43.0 | 10.1 | W403 |
| KMN161008 | 16 | 10 | 8 | 17.8 | 8.4 | 9.9 | 0.19 | 4.1 | 46.1 | 11.5 | - |
| KMN171206 | 17.5 | 12.6 | 6 | 19.2 | 10.9 | 8.1 | 0.11 | 4.7 | 30.0 | 6.9 | W515 |
| KMN191510 | 19 | 15 | 10 | 21.2 | 13.5 | 12.3 | 0.16 | 5.3 | 36.1 | 8.8 | W838 |
| KMN201208 | 20 | 12 | 8 | 21.7 | 10.8 | 9.9 | 0.25 | 5.0 | 55.2 | 13.6 | W409 |
| KMN201210 | 20 | 12 | 10 | 22.6 | 10.5 | 12.5 | 0.31 | 5.0 | 62.4 | 15.6 | - |
| KMN211308E * | 21.3 | 13.6 | 8 | 22 | 13 | 8.8 | 0.24 | 5.5 | 44.1 | 11.0 | - |
| KMN252010 | 25 | 20 | 10 | 28 | 17.2 | 13.2 | 0.20 | 7.1 | 28.4 | 7.3 | W523 |
| KMN251610 | 25 | 16 | 10 | 28 | 14.0 | 13.1 | 0.35 | 6.4 | 67.0 | 15.5 | W380 |
| KMN261610 | 26 | 16 | 10 | 28.3 | 14 | 12.8 | 0.39 | 6.6 | 57.1 | 14.3 | - |
| KMN302010 | 30 | 20 | 10 | 33.2 | 17.8 | 13.3 | 0.39 | 7.9 | 59.3 | 14.0 | W423 |
| KMN302015 | 30 | 20 | 15 | 33.6 | 17.8 | 17.8 | 0.59 | 7.9 | 88.0 | 20.0 | W414 |
| KMN322010 | 32 | 20 | 10 | 34.4 | 18.1 | 13 | 0.47 | 8.2 | 57.6 | 14.4 | - |
| KMN322015 | 32 | 20 | 15 | 34.6 | 17.9 | 18.2 | 0.70 | 8.2 | 86.4 | 21.6 | - |
| KMN322115Y | 32 | 21 | 15 | 35.5 | 18.5 | 19 | 0.64 | 8.3 | 77.7 | 19.4 | trifase |
| KMN382415 | 37.8 | 24.2 | 15 | 40.8 | 21.6 | 18.3 | 0.80 | 9.7 | 82.1 | 20.5 | - |
| KMN402515 | 40 | 25 | 15 | 43.8 | 21.6 | 18.8 | 0.88 | 10.2 | 99.0 | 23.1 | W424 |
| KMN402520 | 40 | 25 | 20 | 45 | 21.5 | 24.7 | 1.17 | 10.2 | 115.2 | 28.8 | - |
| KMN403215 | 40 | 32 | 15 | 44.9 | 28.8 | 18.8 | 0.47 | 11.3 | 48.0 | 11.3 | W422 |
| KMN453015 | 45 | 30 | 15 | 48.3 | 26.4 | 18.2 | 0.88 | 11.8 | 87.6 | 20.0 | V102 |
| KMN462725 | 46 | 27 | 25 | 48.8 | 24.6 | 27.8 | 1.85 | 11.5 | 162.4 | 40.6 | - |
| KMN503220 | 50 | 32 | 20 | 53.8 | 28.5 | 24 | 1.40 | 12.9 | 109.6 | 27.4 | - |
| KMN504020 | 50 | 40 | 20 | 53.6 | 37.1 | 23 | 0.78 | 14.1 | 45.0 | 13.5 | W565 |
| KMN635025 | 63 | 50 | 25 | 69 | 46 | 29 | 1.27 | 17.7 | 59.0 | 17.5 | W517 |
| KMN644020 | 64 | 40 | 20 | 68.2 | 37 | 23.5 | 1.87 | 16.3 | 115.2 | 28.8 | - |
| KMN644025 | 64 | 40 | 25 | 67.4 | 37 | 29.2 | 2.34 | 16.3 | 144.0 | 36.0 | - |
| KMN805020 | 80 | 50 | 20 | 83.8 | 46.6 | 25.0 | 2.34 | 20.4 | 94.0 | 28.0 | V140 |
| KMN805025 | 80 | 50 | 25 | 84 | 47 | 29 | 2.93 | 20.4 | 144.0 | 36.0 | - |
| KMN906020 | 90 | 60 | 20 | 95.4 | 54.7 | 24.7 | 2.34 | 23.6 | 81.0 | 25.1 | W518 |
| KMN1008020 | 100 | 80 | 20 | 105 | 75 | 25 | 1.56 | 28.3 | 55.5 | 13.9 | - |
| KMN1027625 | 102 | 76 | 25 | 108.1 | 70.0 | 30.3 | 2.54 | 27.9 | 91.1 | 22.8 | W468 |
| KMN1108025 | 110 | 80 | 25 | 116.6 | 73.8 | 31.4 | 2.93 | 29.8 | 98.5 | 24.6 | - |
| KMN1309030 | 130 | 90 | 30 | 135.3 | 84.9 | 36.5 | 4.68 | 34.5 | 136.1 | 34.0 | - |
| KMN14010025 | 140 | 100 | 25 | 145 | 95 | 30 | 3.90 | 37.7 | 104 | 26 | - |
| KMN16013025 | 160 | 130 | 25 | 165 | 125 | 30 | 2.93 | 45.5 | 64.6 | 16.1 | - |
| KMN17012025 | 170 | 120 | 25 | 175 | 115 | 30 | 4.88 | 45.5 | 107.6 | 26.9 | - |
| KMN20016030 | 200 | 160 | 30 | 207 | 153 | 37 | 4.5 | 56.5 | 83.2 | 2.8 | - |
Queste memorie sono i nostri prodotti standard, noi possono anche progettare e produrre le memorie di rendimento elevato secondo i requisiti del cliente, compreso i formati, l'induttanza e le applicazioni. Possiamo aiutare i clienti a selezionare le migliori memorie di prestazione
* Rivestito a resina epossidica
** Tolleranza -30%/+50% di AL
KMN322115Y - Memoria comune a tre fasi della bobina d'arresto di modo
1. Memorie di Nanocrystalline per le bobine d'arresto comuni di modo
- Permeabilità Molto alta, adatta a bobine d'arresto comuni di modo di EMI
2. Memorie di nanocrystalline ed amorfe c
- Alta densità Di cambiamento continuo di saturazione e perdita bassa di memoria
- Le memorie di Nanocrystalline c sono il materiale aggiornato con il rendimento elevato ultra
3. Memorie su ordinazione e componenti magnetiche
- Memorie ovali di nanocrystalline di figura per disturbo suppresor. Di VFD
- Induttori amorfi per la bobina d'arresto di CC dell'uscita o la bobina d'arresto di PFC
- Memorie toroidal di Nanocrystalline per la bobina d'arresto comune di modo
